onsemi PowerTrench FDS8958B N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,5 A; 6,4 A 1,6 W, 2 W, 8-Pin SOIC

Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 4,5 A; 6,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 39 mΩ, 80 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 1,6 W, 2 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -25 V, -20 V, +20 V, +25 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = PowerTrench

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. PowerTrench® MOSFETs sind optimierte Netzschalter, die bieten eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine geringe Gate-Ladung (QG) mit geringer Umkehr-Erholungsladung (Qrr) und einer Diode mit weichem Umkehr-Erholungsgehäuse, was zu einer schnellen Schaltung der Synchrongleichrichtung in AC/DC-Netzteilen führt. Die neuesten PowerTrench® MOSFETs nutzen eine abgeschirmte Gatterstruktur, die für Ladungsbalance sorgt. Durch die Verwendung dieser fortschrittlichen Technologie ist die Leistungszahl dieser Geräte erheblich niedriger als bei der Vorgängergeneration. Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.