|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-8075910 Herst.-Nr.:
FQPF9N50CF EAN/GTIN:
5059042634419 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = TO-220F
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 850 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 44 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = QFET
N-Kanal-MOSFET QFET®, 6 A bis 10,9 A, Fairchild Semiconductor. Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung. Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Gehäusegröße: | TO-220F | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 850 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 44 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | QFET |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 8075910, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FQPF9N50CF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |