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| Artikel-Nr.:
3794E-8080076 Herst.-Nr.:
MURD550PFT4G EAN/GTIN:
5059042130096 |
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| Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Dauer-Durchlassstrom max. = 5A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 520V
Diodenkonfiguration = Einfach
Pinanzahl = 3
Maximaler Spannungsabfall = 1.15V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = Siliziumverbindung
Spitzen-Sperrspannung Erholzeit = 95ns
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 75A
Produkte mit Teilenummern mit dem Präfix NSV- oder S- sind gemäß AEC-Q101 für die Kraftfahrttechnik geeignet. Gleichrichterdioden, 4 A bis 9 A, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Dauer-Durchlassstrom max.: | 5A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 520V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Pinanzahl: | 3 | Maximaler Spannungsabfall: | 1.15V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | Siliziumverbindung | Spitzen-Sperrspannung Erholzeit: | 95ns | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 75A |
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| Weitere Suchbegriffe: 8080076, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, onsemi, MURD550PFT4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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