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| Artikel-Nr.:
3794E-8080221 Herst.-Nr.:
IXYX100N120B3 EAN/GTIN:
5059041082877 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 225 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 1150 W
Gehäusegröße = PLUS247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 30kHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.13 x 5.21 x 21.34mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C
IGBTs, diskret, Serie IXYS XPT. Die diskreten IGBTs der XPT™-Serie von IXYS zeichnen sich durch die Dünnwafer-Technologie Extreme-light Punch-Through aus, mit welcher der Wärmewiderstand und Energieverluste verringert werden können. Die Geräte sorgen für kurze Schaltzeiten bei geringem Tailstrom und sind in mehreren Gehäusen in proprietärer Ausführung erhältlich, die Industriestandards entsprechen. Hohe Leistungsdichte und niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Quadratische, sichere Betriebsbereiche für Sperrvorspannung (RBSOA) bis zu ausgelegter Durchschlagsspannung 10 μs lange Kurzschlussauslösung Positiver Temperaturkoeffizient der Durchlassspannung Individuell verpackte (optional) Sonic-FRD™- oder HiPerFRED™-Dioden Hochspannungsgehäuse in proprietärer Ausführung gemäß internationaler Normen Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 225 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 1150 W | Gehäusegröße: | PLUS247 | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Schaltgeschwindigkeit: | 30kHz | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 16.13 x 5.21 x 21.34mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 8080221, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXYX100N120B3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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