|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-8103700 Herst.-Nr.:
STW120NF10 EAN/GTIN:
5059042520668 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 110 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 10,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 312 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 20.15mm
N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 110 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 10,5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 312 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 20.15mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet 110a, 8103700, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STW120NF10, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |