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| Artikel-Nr.:
3794E-8120629 Herst.-Nr.:
IRFR220TRPBF EAN/GTIN:
5059040776500 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 800 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 42 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4,8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 800 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 42 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 8120629, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFR220TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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