|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-8120650 Herst.-Nr.:
IRFR9214TRPBF EAN/GTIN:
5059040783232 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 2,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 50 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 6.22mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C
P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 2,7 A | Drain-Source-Spannung max.: | 250 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 50 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 6.22mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 8120650, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFR9214TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |