|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-8123123 Herst.-Nr.:
SI2337DS-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040793774 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 1,75 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 303 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Betriebstemperatur min. = -50 °C
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 1,75 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 303 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 2,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Betriebstemperatur min.: | -50 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 8123123, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI2337DST1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |