|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-8130708 Herst.-Nr.:
IRFI620GPBF EAN/GTIN:
5059040754454 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TO-220FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 30 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Gehäusegröße: | TO-220FP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 30 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -10 V, +10 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 8130708, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFI620GPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |