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| Artikel-Nr.:
3794E-8130828 Herst.-Nr.:
MBRB10100-E3/8W EAN/GTIN:
5059040783188 |
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| Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Dauer-Durchlassstrom max. = 10A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 100V
Diodenkonfiguration = Einfach
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = Schottky
Pinanzahl = 3
Maximaler Spannungsabfall = 800mV
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = Schottky
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 150A
TMBS – Trench MOS-Schottky-Gleichrichter, bis zu 20 A, Vishay Semiconductor. Die Trench MOS-Schottky-Gleichrichterserie (TMBS) von Vishay enthält eine patentierte Trench-Struktur. TMBS-Gleichrichter bieten mehrere Vorteile gegenüber planaren Schottky-Gleichrichtern. Bei Betriebsspannungen von 45 V und mehr können planare Schottky-Gleichrichter ihren Vorteil von schnellen Schaltgeschwindigkeiten und niedrigem Durchlassspannungsabfall beträchtlich einbüßen. Die patentierte TMBS-Struktur löst diese Probleme durch die Verringerung der Injektionen von Minoritätsladungsträgern, wodurch gespeicherte Aufladungen minimiert und Schaltfrequenzen verbessert werden. Merkmale. Patentierte Trench-Struktur Verbesserte Effizienz in AC/DC-Schaltnetzteilen und DC/DC-Wandlern Hohe Leistungsdichte und niedrige Durchlassspannung Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Dauer-Durchlassstrom max.: | 10A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 100V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | Schottky | Pinanzahl: | 3 | Maximaler Spannungsabfall: | 800mV | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | Schottky | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 150A |
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| Weitere Suchbegriffe: smd diode, 8130828, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, Vishay, MBRB10100E38W, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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