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| Artikel-Nr.: 3794E-8152682 Herst.-Nr.: IRF9Z20PBF EAN/GTIN: 5059040705227 |
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| Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 6,1 A Drain-Source-Spannung max. = 50 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 280 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 40 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Betriebstemperatur max. = +150 °C Höhe = 15.49mm
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 6,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 50 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 280 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 40 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 15.49mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet to-220ab, 8152682, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRF9Z20PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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