|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-8152727 Herst.-Nr.:
IRFI9Z24GPBF EAN/GTIN:
5059040800458 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 6 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-220FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 280 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 37 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -55 °C
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TO-220FP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 280 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 37 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 8152727, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFI9Z24GPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |