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| Artikel-Nr.:
3794E-8181438 Herst.-Nr.:
SI8489EDB-T2-E1 EAN/GTIN:
5059040746343 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 4,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = MICRO FOOT
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 82 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.5V
Verlustleistung max. = 1,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 0.268mm
P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 4,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | MICRO FOOT | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 82 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.5V | Verlustleistung max.: | 1,8 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 0.268mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 8181438, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI8489EDBT2E1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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