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| Artikel-Nr.:
3794E-8193908 Herst.-Nr.:
SQ2301ES-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040639751 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 2,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 180 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.45V
Verlustleistung max. = 3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = SQ Rugged
P-Kanal-MOSFET, SQ robuste Serie, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 2,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 180 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.45V | Verlustleistung max.: | 3 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | SQ Rugged |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 8193908, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQ2301EST1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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