Produktinformationen: | | |
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| Artikel-Nr.:
3794E-8208849 Herst.-Nr.:
IRFB7540PBF EAN/GTIN:
5059043791043 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 110 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5,1 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V
Verlustleistung max. = 160 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = StrongIRFET
Leistungs-MOSFET StrongIRFET™, Infineon. Die Infineon- StrongIRFET -Familie ist optimiert für geringe R ;sub>DS ;/sub>(ein) und hohe Strombelastbarkeit. Dieses Portfolio bietet eine verbesserte Robustheit am Gate, gegen Lawinendurchschlag und gegen dynamische dv/dt und ist damit ideal für industrielle Anwendungen mit niedriger Frequenz wie Motorantriebe, Elektrowerkzeuge, Wechselrichter und das Batteriemanagement, wo Leistung und Robustheit von zentraler Bedeutung sind. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 110 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5,1 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.7V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.1V | Verlustleistung max.: | 160 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | StrongIRFET |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, mosfet, mosfet 110a, 8208849, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFB7540PBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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