|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-8222598 Herst.-Nr.:
DMN63D8LDW-7 EAN/GTIN:
5059043265650 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 260 mA
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-363
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 13 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V
Verlustleistung max. = 400 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = -55 °C
Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 260 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 13 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.5V | Verlustleistung max.: | 400 mW | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 8222598, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN63D8LDW7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |