| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 3794E-8231851 Herst.-Nr.: ZVP4525GTA EAN/GTIN: 5059043795218 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 260 mA Drain-Source-Spannung max. = 250 V Gehäusegröße = SOT-223 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 18 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2V Verlustleistung max. = 2 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -40 V, +40 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Höhe = 1.7mm
P-Kanal-MOSFET, 100 V bis 450 V, Diodes Inc Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 260 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 250 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 18 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Verlustleistung max.: | 2 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -40 V, +40 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 1.7mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-223, 8231851, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, ZVP4525GTA, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |