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| Artikel-Nr.:
3794E-8233233 Herst.-Nr.:
DMN4800LSSL-13 EAN/GTIN:
5059043185354 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 8 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 20 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.6V
Verlustleistung max. = 1,46 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-MOSFET, 30 V, Diodes Inc Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 20 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.6V | Verlustleistung max.: | 1,46 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 8a, 8233233, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN4800LSSL13, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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