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| Artikel-Nr.:
3794E-8268875 Herst.-Nr.:
IRF7317TRPBF EAN/GTIN:
5059043208039 |
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| Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 5,3 A; 6,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 46 mΩ, 98 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 0.7V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.7V
Verlustleistung max. = 2 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 1.5mm
Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Infineon. Die Zweifach-Leistungs-MOSFETs von Infineon integrieren zwei HEXFET®-Bauelemente für platzsparende, kostengünstige Schaltlösungen bei hoher Bauteildichte für Anwendungen mit beschränktem Platinenplatz. Verschiedene Optionen stehen zur Verfügung, und Designer können die Zweifach-N/P-Kanal-Konfiguration wählen. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 5,3 A; 6,6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 46 mΩ, 98 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 0.7V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.7V | Verlustleistung max.: | 2 W | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 1.5mm |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 8268875, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF7317TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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