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| Artikel-Nr.:
3794E-8269279 Herst.-Nr.:
BSP322PH6327XTSA1 EAN/GTIN:
5059043021171 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 1 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 800 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 1,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = SIPMOS
Infineon SIPMOS® P-Kanal-MOSFETs. Die Kleinsignal-P-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS ;sup>® ;/sup> besitzen verschiedene Merkmale wie den Verbesserungsmodus, einen durchgängigen Drain-Strom bis herunter auf –80 A sowie einen großen Betriebstemperaturbereich. Der SIPMOS-Leistungstransistor kann in einer Vielzahl von Anwendungen wie Telekommunikation, eMobility, Notebooks, DC/DC-Geräten sowie in der Automobilindustrie verwendet werden.. · AEC Q101-qualifiziert (siehe Datenblatt) · Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 800 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 1,8 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | SIPMOS |
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| Weitere Suchbegriffe: SMD Kondensator, chip-kondensator 100v, leistungstransistor, mosfet infineon, 8269279, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSP322PH6327XTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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