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| Artikel-Nr.:
3794E-8270493 Herst.-Nr.:
DMN6070SSD-13 EAN/GTIN:
5059043015101 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Verlustleistung max. = 1,5 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Betriebstemperatur min. = -55 °C
Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 4,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 100 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Verlustleistung max.: | 1,5 W | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 8270493, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN6070SSD13, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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