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| Artikel-Nr.:
3794E-8273899 Herst.-Nr.:
IRF7842TRPBF EAN/GTIN:
5059045664321 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 18 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 5,9 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.25V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.35V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = HEXFET
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 18 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5,9 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.25V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.35V | Verlustleistung max.: | 2,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | HEXFET |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 8273899, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF7842TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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