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Infineon HEXFET IRFR4105ZTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A 48 W, 3-Pin DPAK (TO-252)


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Infineon HEXFET IRFR4105ZTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 30 A 48 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Artikel-Nr.:
     3794E-8274066
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRFR4105ZTRPBF
EAN/GTIN:
     5059043854243
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 24,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 48 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = HEXFET

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon. Motorsteuerungs-MOSFET. Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung. Synchrongleichrichter-MOSFET. Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
30 A
Drain-Source-Spannung max.:
55 V
Gehäusegröße:
DPAK (TO-252)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
24,5 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
48 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff:
Si
Serie:
HEXFET
Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet dpak, 8274066, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRFR4105ZTRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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