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| Artikel-Nr.:
3794E-8275356 Herst.-Nr.:
BSO201SPHXUMA1 EAN/GTIN:
5059043365657 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 14,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 12,9 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.2V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.6V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = OptiMOS P
P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P. Die P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS ™ wurden entwickelt, um erweiterte Funktionen bei hochwertiger Leistung zu bieten. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Die Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Automobilindustrie und eMobility.. Enhancement-Modus Für Stoßentladung ausgelegt Niedrige Schalt- und Leitungsverluste Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform Standardgehäuse P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 14,9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 12,9 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.6V | Verlustleistung max.: | 2,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | OptiMOS P |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 8275356, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSO201SPHXUMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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