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| Artikel-Nr.:
3794E-8276191 Herst.-Nr.:
TK32E12N1,S1X(S EAN/GTIN:
5059041168786 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 60 A
Drain-Source-Spannung max. = 120 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 13,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 98 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 15.1mm
MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 60 A | Drain-Source-Spannung max.: | 120 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 13,8 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Verlustleistung max.: | 98 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 15.1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: to-220 mosfet, 8276191, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK32E12N1,S1X(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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