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| Artikel-Nr.:
3794E-8283196 Herst.-Nr.:
DMN3032LE-13 EAN/GTIN:
5059043033280 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 15,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 35 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Verlustleistung max. = 1,8 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = -55 °C
N-Kanal-MOSFET, 30 V, Diodes Inc Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 15,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 35 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Verlustleistung max.: | 1,8 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 8283196, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMN3032LE13, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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