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| Artikel-Nr.:
3794E-8293320 Herst.-Nr.:
DN2530N3-G EAN/GTIN:
5059040117853 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 175 mA
Drain-Source-Spannung max. = 300 V
Gehäusegröße = TO-92
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 12 Ω
Channel-Modus = Depletion
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Verlustleistung max. = 740 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 5.33mm
MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus. Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind. Merkmale. Hohe Eingangsimpedanz Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeiten Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Frei von sekundärer Durchschlagsspannung Niedriger Eingangs- und Leckstrom. Typische Anwendungen:. Schließerschalter Halbleiterrelais Wandler Lineare Verstärker Konstantstrom-Quellen Netzteilschaltungen Telekommunikation Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 175 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 300 V | Gehäusegröße: | TO-92 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 12 Ω | Channel-Modus: | Depletion | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Verlustleistung max.: | 740 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 5.33mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 8293320, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Microchip, DN2530N3G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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