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| Artikel-Nr.:
3794E-8297136 Herst.-Nr.:
STGWT80H65DFB EAN/GTIN:
5059042700848 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 120 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 469 W
Gehäusegröße = TO-3P
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.8 x 5 x 20.1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °C
IGBT, diskret, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 120 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 469 W | Gehäusegröße: | TO-3P | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Schaltgeschwindigkeit: | 1MHz | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 15.8 x 5 x 20.1mm | Betriebstemperatur min.: | -55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 8297136, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STGWT80H65DFB, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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