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| Artikel-Nr.: 3794E-8303307 Herst.-Nr.: IRLL014NTRPBF EAN/GTIN: 5059043425306 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 2,8 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Gehäusegröße = SOT-223 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 280 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2V Gate-Schwellenspannung min. = 1V Verlustleistung max. = 2,1 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = HEXFET
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 2,8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 55 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 280 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 2,1 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –16 V, +16 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | HEXFET |
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| Weitere Suchbegriffe: SMD Kondensator, mosfet infineon, leistungs-mosfet, mosfet sot-223, 8303307, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRLL014NTRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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