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| Artikel-Nr.:
3794E-8303332 Herst.-Nr.:
IRLR024NTRLPBF EAN/GTIN:
5059043886640 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 17 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 110 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 45 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = HEXFET
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 17 A | Drain-Source-Spannung max.: | 55 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 110 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 45 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –16 V, +16 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | HEXFET |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet dpak, 8303332, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRLR024NTRLPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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