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Infineon HEXFET IRF5305STRLPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Produktinformationen

Infineon HEXFET IRF5305STRLPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Artikel-Nr.:
3794E-8312834

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IRF5305STRLPBF

EAN/GTIN:
5059043020327

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon

Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 31 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 60 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 110 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Serie = HEXFET

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V bis 55 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	P
Dauer-Drainstrom max.:	31 A
Drain-Source-Spannung max.:	55 V
Gehäusegröße:	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ:	SMD
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	60 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	4V
Gate-Schwellenspannung min.:	2V
Verlustleistung max.:	110 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.:	+175 °C
Serie:	HEXFET

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Mosfet

Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet d2pak, 8312834, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF5305STRLPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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