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Infineon HEXFET IRF7104TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 2,3 A 2 W, 8-Pin SOIC

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Produktinformationen

Infineon HEXFET IRF7104TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 2,3 A 2 W, 8-Pin SOIC

Artikel-Nr.:
3794E-8312869

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IRF7104TRPBF

EAN/GTIN:
5059043020273

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon

Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 2,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 2 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Serie = HEXFET

Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Infineon. Die Zweifach-Leistungs-MOSFETs von Infineon integrieren zwei HEXFET®-Bauelemente für platzsparende, kostengünstige Schaltlösungen bei hoher Bauteildichte für Anwendungen mit beschränktem Platinenplatz. Verschiedene Optionen stehen zur Verfügung, und Designer können die Zweifach-P-Kanal-Konfiguration wählen.

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	P
Dauer-Drainstrom max.:	2,3 A
Drain-Source-Spannung max.:	20 V
Gehäusegröße:	SOIC
Montage-Typ:	SMD
Pinanzahl:	8
Drain-Source-Widerstand max.:	400 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	3V
Gate-Schwellenspannung min.:	1V
Verlustleistung max.:	2 W
Transistor-Konfiguration:	Isoliert
Gate-Source Spannung max.:	-12 V, +12 V
Anzahl der Elemente pro Chip:	2
Serie:	HEXFET

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Mosfet

Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, 8312869, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF7104TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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