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Infineon IGBT-Modul / 650 A ±20V max., 1200 V 2,25 kW, 5-Pin 62MM-Modul N-Kanal


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-8386908
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FZ400R12KE3B1HOSA1
EAN/GTIN:
     5059043593074
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 650 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 2,25 kW
Gehäusegröße = 62MM-Modul
Montage-Typ = Tafelmontage
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 5
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 106.4 x 61.4 x 36.5mm
Betriebstemperatur max. = +125 °C

IGBT-Module, Infineon. Die IGBT-Module von Infineon bieten einen niedrigen Schaltverlust beim Schalten mit Frequenzen von bis zu 60 kHz. Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP ;sup>TM ;/sup>- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.. Gehäuseausführungen umfassen: 62-mm-Modul, EasyPack, EconoPACK ;sup>TM ;/sup>2/EconoPACK ;sup>TM ;/sup>3/EconoPACK ;sup>TM ;/sup>4
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
650 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
2,25 kW
Gehäusegröße:
62MM-Modul
Montage-Typ:
Tafelmontage
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
5
Schaltgeschwindigkeit:
1MHz
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Abmessungen:
106.4 x 61.4 x 36.5mm
Betriebstemperatur max.:
+125 °C
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 8386908, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FZ400R12KE3B1HOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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