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| Artikel-Nr.:
3794E-8648158 Herst.-Nr.:
FDH055N15A EAN/GTIN:
5059042532326 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 167 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5,9 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 429 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Höhe = 4.82mm
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 167 A | Drain-Source-Spannung max.: | 150 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5,9 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 429 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Höhe: | 4.82mm |
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| Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, mosfet, transistor to-247, 8648158, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDH055N15A, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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