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| Artikel-Nr.:
3794E-8648486 Herst.-Nr.:
FDMS86263P EAN/GTIN:
5059042657692 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 22 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Gehäusegröße = PQFN8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 94 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 104 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 1.05mm
P-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. PowerTrench® MOSFETs sind optimierte Netzschalter, die bieten eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine geringe Gate-Ladung (QG) mit geringer Umkehr-Erholungsladung (Qrr) und einer Diode mit weichem Umkehr-Erholungsgehäuse, was zu einer schnellen Schaltung der Synchrongleichrichtung in AC/DC-Netzteilen führt. Die neuesten PowerTrench® MOSFETs nutzen eine abgeschirmte Gatterstruktur, die für Ladungsbalance sorgt. Durch die Verwendung dieser fortschrittlichen Technologie ist die Leistungszahl dieser Geräte erheblich niedriger als bei der Vorgängergeneration. Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 22 A | Drain-Source-Spannung max.: | 150 V | Gehäusegröße: | PQFN8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 94 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 104 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –25 V, +25 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 1.05mm |
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| Weitere Suchbegriffe: pqfn mosfet, 8648486, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDMS86263P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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