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| Artikel-Nr.:
3794E-8648546 Herst.-Nr.:
FDP2710 EAN/GTIN:
5059042660463 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 42 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 260 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 4.83mm
Höhe = 16.51mm
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A | Drain-Source-Spannung max.: | 250 V | Gehäusegröße: | TO-220 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 42 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 260 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 4.83mm | Höhe: | 16.51mm |
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| Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, mosfet, mosfet 50a, 8648546, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDP2710, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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