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| Artikel-Nr.:
3794E-8765711 Herst.-Nr.:
STS10P4LLF6 EAN/GTIN:
5059042377156 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 20 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 2,7 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = STripFET
P-Kanal-STripFET™-Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 10 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 20 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 2,7 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | STripFET |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, 8765711, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STS10P4LLF6, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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