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| Artikel-Nr.:
3794E-8855362 Herst.-Nr.:
2N7002VC-7 EAN/GTIN:
5059043847948 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 280 mA
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-563
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 13,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Verlustleistung max. = 150 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -40 V, +40 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 280 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-563 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 13,5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 150 mW | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -40 V, +40 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 8855362, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, 2N7002VC7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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