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| Artikel-Nr.:
3794E-8902698 Herst.-Nr.:
2SK4013,S5Q(J EAN/GTIN:
5059041594837 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 6 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Serie = 2SK
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,7 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 45 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Si
Diodendurchschlagsspannung = 1.7V
MOSFET N-Kanal, Serie 2SK, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Serie: | 2SK | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,7 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Verlustleistung max.: | 45 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Diodendurchschlagsspannung: | 1.7V |
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| Weitere Suchbegriffe: 8902698, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, 2SK4013,S5Q(J, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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