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| Artikel-Nr.:
3794E-8912875 Herst.-Nr.:
TK11A65W,S5X(M EAN/GTIN:
5059041563017 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-220SIS
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 390 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Verlustleistung max. = 35 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = TK
MOSFET N-Kanal, Serie TK1x, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 11,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-220SIS | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 390 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Verlustleistung max.: | 35 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | TK |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 11a, 8912875, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK11A65W,S5X(M, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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