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| Artikel-Nr.: 3794E-8912881 Herst.-Nr.: TK12J60W,S1VQ(O EAN/GTIN: 5059041610162 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 11,5 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = TO-3PN Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 300 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V Verlustleistung max. = 110 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Höhe = 20mm
MOSFET N-Kanal, Serie TK1x, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 11,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-3PN | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 300 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.7V | Verlustleistung max.: | 110 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 20mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 11a, 8912881, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK12J60W,S1VQ(O, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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