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| Artikel-Nr.:
3794E-8912917 Herst.-Nr.:
TK16J60W,S1VQ(O EAN/GTIN:
5059041634502 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 15,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-3PN
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V
Verlustleistung max. = 130 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Serie = TK
MOSFET N-Kanal, Serie TK1x, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 15,8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-3PN | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 190 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.7V | Verlustleistung max.: | 130 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | TK |
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| Weitere Suchbegriffe: 8912917, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK16J60W,S1VQ(O, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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