|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-8912951 Herst.-Nr.:
TK30A06N1,S4X(S EAN/GTIN:
5059041607841 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 43 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-220SIS
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 15 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 25 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Serie = TK
MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 43 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TO-220SIS | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 15 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Verlustleistung max.: | 25 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Serie: | TK |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 8912951, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK30A06N1,S4X(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |