| |
|
| Artikel-Nr.: 3794E-8912954 Herst.-Nr.: TK31A60W,S4VX(M EAN/GTIN: 5059041608879 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 31 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = TO-220SIS Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 88 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V Verlustleistung max. = 45 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Diodendurchschlagsspannung = 1.7V
MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 31 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-220SIS | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 88 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.7V | Verlustleistung max.: | 45 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodendurchschlagsspannung: | 1.7V |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 8912954, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK31A60W,S4VX(M, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |