Produktinformationen: | | |
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| Artikel-Nr.:
3794E-8922172 Herst.-Nr.:
BSL308PEH6327XTSA1 EAN/GTIN:
5059043741291 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 2 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = TSOP-6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 130 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 500 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 1.6mm
Höhe = 1mm
P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™P. Die P-Kanal-Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS ™ wurden entwickelt, um erweiterte Funktionen bei hochwertiger Leistung zu bieten. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Die Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Automobilindustrie und eMobility.. Enhancement-Modus Für Stoßentladung ausgelegt Niedrige Schalt- und Leitungsverluste Pb-frei Kabel Beschichtung; RoHS-konform Standardgehäuse P-Kanal-Serie OptiMOS™: Temperaturbereich von –55 °C bis +175 °C Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | TSOP-6 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 130 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 500 mW | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 1.6mm | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 2a, 8922172, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSL308PEH6327XTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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