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| Artikel-Nr.:
3794E-8962357 Herst.-Nr.:
TK35N65W,S1F(S EAN/GTIN:
5059041695374 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 35 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 80 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Verlustleistung max. = 270 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 5.02mm
Serie = TK
MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 35 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 80 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Verlustleistung max.: | 270 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 5.02mm | Serie: | TK |
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| Weitere Suchbegriffe: 8962357, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK35N65W,S1F(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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