|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-8962369 Herst.-Nr.:
TK39J60W,S1VQ(O EAN/GTIN:
5059041695688 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 39 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-3PN
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 65 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V
Verlustleistung max. = 270 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 20mm
MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 39 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-3PN | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 65 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.7V | Verlustleistung max.: | 270 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 20mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: toshiba mosfet, mosfet, 8962369, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK39J60W,S1VQ(O, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |