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| Artikel-Nr.:
3794E-8962401 Herst.-Nr.:
TK58A06N1,S4X(S EAN/GTIN:
5059041587105 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 58 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = TO-220SIS
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5,4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 35 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = TK
MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 58 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | TO-220SIS | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5,4 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Verlustleistung max.: | 35 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | TK |
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| Weitere Suchbegriffe: 8962401, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK58A06N1,S4X(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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