|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-8962404 Herst.-Nr.:
TK5A60W,S4VX(M EAN/GTIN:
5059041578400 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-220SIS
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 900 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V
Verlustleistung max. = 30 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = TK
MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-220SIS | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 900 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.7V | Verlustleistung max.: | 30 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | TK |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 8962404, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK5A60W,S4VX(M, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |