|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-8962417 Herst.-Nr.:
TK62N60W,S1VF(S EAN/GTIN:
5059041982801 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 62 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V
Verlustleistung max. = 400 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 20.95mm
MOSFET-N-Kanal, Serie TK6 und TK7, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 62 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 40 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.7V | Verlustleistung max.: | 400 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 20.95mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 8962417, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK62N60W,S1VF(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |